No/VOL: 02/2025 Page no. 84
Authors: Marcjan Nowak , Adrian Barasiński :
Title: Analiza strat przekształtnika napięcia z tranzystorami SiC MOSFET
Abstract: W artykule przedstawiono analizę strat przełączeniowe w przekształtnikach energoelektronicznych z tranzystorami SiC MOSFET. Omówiono wpływ częstotliwości przełączania na generowanie ciepła oraz metody ograniczania strat, takie jak stosowanie gasików, optymalizacja sterowników bramkowych i wykorzystanie zaawansowanych technologii materiałowych (SiC, GaN). Badania teoretyczne i praktyczne wskazują na korzyści z wykorzystania symulacji komputerowych w projektowaniu przekształtników.
Key words: model symulacyjny, przekształtnik, straty mocy, tranzystor SiC MOSFET